Và tin rò rỉ mới nhất đến từ “thánh rò rỉ” nổi tiếng Ice Universe lại tập trung vào hiệu năng bộ nhớ, hé lộ sự nâng cấp lớn về RAM. Theo đó, S26 Ultra sẽ được trang bị loại RAM LPDDR5X mới nhất của Micron tốc độ lên tới 10,7 Gbps. Đây là cú nhảy vọt lớn so với tốc độ 9,6 Gbps của mẫu S25 Ultra.
Sự tăng cường bộ nhớ đáng kể này có được là nhờ vào kiến trúc DRAM 1γ (1-gamma) mới của Micron, giúp mang lại những lợi ích đáng kể về hiệu quả. So với thế hệ 1β (1-beta) trước đó, kiến trúc mới này có hiệu quả sử dụng năng lượng cao hơn và khả năng xử lý đa nhiệm tốt hơn, dẫn đến hiệu suất mượt mà hơn mà không làm hao pin.
Dù sự gia tăng tốc độ này có thể không quá rõ rệt trong các tác vụ hàng ngày, nhưng nó sẽ tạo ra một sự khác biệt lớn trong các tác vụ đòi hỏi cao, nơi băng thông bộ nhớ đóng một vai trò cực kỳ quan trọng trong việc đảm bảo sự ổn định và hiệu suất được nâng cấp.
Samsung đang ngày càng tập trung vào việc mang đến nhiều khả năng AI hơn, việc nâng cấp RAM sẽ đóng vai trò quan trọng trong việc hỗ trợ các tính năng này và đảm bảo rằng mẫu flagship vẫn là 1 “con quái vật” về hiệu năng. Galaxy S26 Ultra cũng được kỳ vọng sẽ được trang bị chip Snapdragon 8 Elite 2 cùng tăng cường bộ nhớ, nó thực sự có thể là một bản nâng cấp lớn so với mẫu trước đó.
